მოდელი | BAT-NEBMS-SE601000400-V001 |
Პარამეტრი | Დიაპაზონი |
Ვოლტაჟიoგამოსავალი პერaნალოგიcელ | 100მვ-5000მვ |
მაქსიმალური დატვირთვის დენი ანალოგურ უჯრედზე | 3A |
მიმდინარე გაზომვის სიზუსტე ანალოგური უჯრედი | ±0.5 mA |
ტემპერატურის ანალოგური ძაბვის გამომავალი დიაპაზონი | -3.0V~+4.5V |
ტემპერატურის ანალოგური ძაბვის გამომავალისიზუსტე | ±0.5 მვ |
მუდმივი მაღალი ძაბვის გამომავალი დიაპაზონი | 10-1000 ვ |
მუდმივი მაღალი ძაბვის გამომავალი სიზუსტე | ±(0.1%RD+100mV) |
მუდმივი მაღალი ძაბვის გაზომვის სიზუსტე | ±(0.1%RD) |
მუდმივი მაღალი ძაბვა დაშვებული მაქსიმალური დენი | 0-100 mA |
მუდმივი მაღალი ძაბვის დენის გაზომვის სიზუსტე | 0.05% RD+50uA |
მუდმივი მაღალი ძაბვის სიმძლავრის ნომერი | 1 CH (შეიძლება შეიცავდეს მრავალ მოდულს) |
რეზისტორების რეგულირებადი დიაპაზონი | 2Ω~ 1 მΩ |
რეზისტორის რეგულირებადი სიზუსტე | 0.2% RD + 1.0 Ohm |
PWM სიხშირის დიაპაზონი | 1Hz~500KHz |
დასაშვები მაღალი დონის ძაბვის დიაპაზონი | -12V~12V |